IGB15N60T、SGB07N120、IXDR30N120D1对比区别
型号 IGB15N60T SGB07N120 IXDR30N120D1
描述 INFINEON IGB15N60T 单晶体管, IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263, 3 引脚在NPT技术的快速IGBT Fast IGBT in NPT-technologyIXYS SEMICONDUCTOR IXDR30N120D1 单晶体管, IGBT, 隔离, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-247
长度 10.31 mm 10.25 mm 16.13 mm
宽度 9.45 mm 9.9 mm 5.21 mm
高度 4.57 mm 4.4 mm 21.34 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-247
工作温度 -40℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Not Recommended for New Design Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
针脚数 3 - 3
极性 - - N-Channel
耗散功率 130 W - 200 W
上升时间 - - 70 ns
击穿电压(集电极-发射极) 600 V - 1200 V
反向恢复时间 - - 40 ns
额定功率(Max) 130 W - 200 W
下降时间 - - 70 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 200000 mW
额定功率 130 W - -