IGB15N60T、SGB07N120、IXDR30N120D1对比区别

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型号 IGB15N60T SGB07N120 IXDR30N120D1

描述 INFINEON  IGB15N60T  单晶体管, IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263, 3 引脚在NPT技术的快速IGBT Fast IGBT in NPT-technologyIXYS SEMICONDUCTOR  IXDR30N120D1  单晶体管, IGBT, 隔离, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-247

长度 10.31 mm 10.25 mm 16.13 mm

宽度 9.45 mm 9.9 mm 5.21 mm

高度 4.57 mm 4.4 mm 21.34 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-247

工作温度 -40℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Not Recommended for New Design Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

针脚数 3 - 3

极性 - - N-Channel

耗散功率 130 W - 200 W

上升时间 - - 70 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V - 1200 V

反向恢复时间 - - 40 ns

额定功率(Max) 130 W - 200 W

下降时间 - - 70 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 200000 mW

额定功率 130 W - -