额定电压DC 55.0 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 165W Tc
输入电容 7.77 nF
栅电荷 170 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 49 ns
输入电容Ciss 13060pF @25VVds
额定功率Max 165 W
下降时间 41 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 165W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3-2
封装 TO-263-3-2
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPB80N06S3L-05 | Infineon 英飞凌 | 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPB80N06S3L-05 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-263 N-CH 55V 80A 7.77nF | 当前型号 | 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor | 当前型号 | |
型号: IPB77N06S3-09 品牌: 英飞凌 封装: D2PAK N-CH 55V 77A 5.34nF | 类似代替 | 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor | IPB80N06S3L-05和IPB77N06S3-09的区别 | |
型号: NP80N06PLG-E1B-AY 品牌: 瑞萨电子 封装: TO-263 | 功能相似 | MOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | IPB80N06S3L-05和NP80N06PLG-E1B-AY的区别 | |
型号: IPB080N06NG 品牌: 英飞凌 封装: TO-263 60V 80A | 功能相似 | OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor | IPB80N06S3L-05和IPB080N06NG的区别 |