IPB80N06S3L-05、NP80N06PLG-E1B-AY、STP60N55F3对比区别

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型号 IPB80N06S3L-05 NP80N06PLG-E1B-AY STP60N55F3

描述 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-TransistorMOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTORN沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3-2 TO-263-3 TO-220-3

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 80.0 A - -

极性 N-CH - -

耗散功率 165W (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc) 110 W

输入电容 7.77 nF - -

栅电荷 170 nC - -

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A - -

上升时间 49 ns - 50 ns

输入电容(Ciss) 13060pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 165 W - 110 W

下降时间 41 ns - 11.5 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 165W (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc) 110W (Tc)

封装 TO-263-3-2 TO-263-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete End of Life Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99