IPB77N06S3-09、IPB80N06S3L-05、NP80N06NLG-S18-AY对比区别

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型号 IPB77N06S3-09 IPB80N06S3L-05 NP80N06NLG-S18-AY

描述 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-TransistorMOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-263-3-2 TO-263-3-2 TO-262

引脚数 3 3 -

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 77.0 A 80.0 A 80A

额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V -

额定电流 77.0 A 80.0 A -

耗散功率 107 W 165W (Tc) -

输入电容 5.34 nF 7.77 nF -

栅电荷 103 nC 170 nC -

上升时间 51 ns 49 ns -

输入电容(Ciss) 5335pF @25V(Vds) 13060pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 165 W -

下降时间 51 ns 41 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 107W (Tc) 165W (Tc) -

封装 TO-263-3-2 TO-263-3-2 TO-262

长度 10 mm - -

宽度 9.25 mm - -

高度 4.4 mm - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -