IPP100P03P3L-04
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPP100P03P3L-04中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 200 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 9300pF @25VVds
下降时间 180 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPP100P03P3L-04引脚图与封装图
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在线购买IPP100P03P3L-04
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPP100P03P3L-04 | Infineon 英飞凌 | 的OptiMOS -P沟道功率三极管 OptiMOS-P Trench Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPP100P03P3L-04
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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