IPI100P03P3L-04、IPP100P03P3L-04、IPP80P03P4L-04对比区别

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型号 IPI100P03P3L-04 IPP100P03P3L-04 IPP80P03P4L-04

描述 的OptiMOS -P沟道功率三极管 OptiMOS-P Trench Power-Transistor的OptiMOS -P沟道功率三极管 OptiMOS-P Trench Power-TransistorINFINEON  IPP80P03P4L-04  晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -30 V, 0.0037 ohm, -10 V, -1.5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - - 3

耗散功率 200W (Tc) 200 W 137 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

上升时间 - 45 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 9300pF @25V(Vds) 9300pF @25V(Vds) 11300pF @25V(Vds)

下降时间 - 180 ns 40 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 137 W

极性 P-CH - P-Channel

连续漏极电流(Ids) 100A - 80A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.0037 Ω

额定功率(Max) - - 137 W

长度 - 10 mm 10 mm

宽度 - 4.4 mm 4.4 mm

高度 - 15.65 mm 15.65 mm

封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17