IPP100P03P3L-04、IPP80P03P4L-04、IPI100P03P3L-04对比区别

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型号 IPP100P03P3L-04 IPP80P03P4L-04 IPI100P03P3L-04

描述 的OptiMOS -P沟道功率三极管 OptiMOS-P Trench Power-TransistorINFINEON  IPP80P03P4L-04  晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -30 V, 0.0037 ohm, -10 V, -1.5 V的OptiMOS -P沟道功率三极管 OptiMOS-P Trench Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3

引脚数 - 3 -

耗散功率 200 W 137 W 200W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

上升时间 45 ns 11 ns -

输入电容(Ciss) 9300pF @25V(Vds) 11300pF @25V(Vds) 9300pF @25V(Vds)

下降时间 180 ns 40 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 200W (Tc) 137 W 200W (Tc)

极性 - P-Channel P-CH

连续漏极电流(Ids) - 80A 100A

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0037 Ω -

额定功率(Max) - 137 W -

长度 10 mm 10 mm -

宽度 4.4 mm 4.4 mm -

高度 15.65 mm 15.65 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -