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AUIRFR120Z、IRFR120Z、IRFR120PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFR120Z IRFR120Z IRFR120PBF

描述 INFINEON  AUIRFR120Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 100 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 VDPAK N-CH 100V 8.7AVISHAY  IRFR120PBF  场效应管, MOSFET, N沟道

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 8.70 A -

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 35 W 35W (Tc) 2.5 W

产品系列 - IRFR120Z -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V -

连续漏极电流(Ids) 8.7A 8.70 A 7.70 A

上升时间 26 ns 26.0 ns -

输入电容(Ciss) 310pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds) 360pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 35W (Tc) 35W (Tc) 2.5 W

额定功率 35 W - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.15 Ω - 0.27 Ω

阈值电压 2 V - 4 V

下降时间 23 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

长度 - - 6.73 mm

高度 - - 2.39 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -