IXDN614PI
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXDN614PI中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 25ns, 18ns
输出接口数 1
上升时间 35 ns
下降时间 25 ns
电源电压 4.5V ~ 35V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 8
封装 DIP-8
外形尺寸
封装 DIP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXDN614PI引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IXDN614PI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXDN614PI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： DIP-8 | 当前型号 | 低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A | 当前型号 |
| 型号： IXDD614PI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： DIP-8 | 完全替代 | 低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A | IXDN614PI和IXDD614PI的区别 |
| 型号： IXDI614PI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Through | 完全替代 | 门驱动器 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET | IXDN614PI和IXDI614PI的区别 |