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IXDI614PI、IXDN614PI、IXDD614PI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDI614PI IXDN614PI IXDD614PI

描述 门驱动器 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

上升/下降时间 25ns, 18ns 25ns, 18ns 25ns, 18ns

输出接口数 1 1 1

电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V

上升时间 - 35 ns 35 ns

输出电流(Max) - - 14 A

下降时间 - 25 ns 25 ns

下降时间(Max) - - 25 ns

上升时间(Max) - - 35 ns

工作温度(Max) - - 125 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

电源电压(Max) - - 35 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99