IS43TR16640A-125JBLI

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS, IT

SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb（64M x 16）并联 800 MHz 20 ns 96-TWBGA（9x13）

得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA

艾睿:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA

Verical:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA

IS43TR16640A-125JBLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 210 mA

存取时间 20 ns

存取时间Max 20 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.425V ~ 1.575V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 96

封装 BGA-96

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 BGA-96

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS43TR16640A-125JBLI引脚图与封装图

IS43TR16640A-125JBLI封装图

IS43TR16640A-125JBLI封装焊盘图

在线购买IS43TR16640A-125JBLI

型号	制造商	描述	购买
IS43TR16640A-125JBLI	Integrated Silicon SolutionISSI	1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS, IT	搜索库存

替代型号IS43TR16640A-125JBLI

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IS43TR16640A-125JBLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： FBGA	当前型号	1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS, IT	当前型号
型号： IS46TR16640A-125JBLA1 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA	完全替代	动态随机存取存储器 1G, 1.5V, 1600MT/s 64Mx16 DDR3 S动态随机存取存储器	IS43TR16640A-125JBLI和IS46TR16640A-125JBLA1的区别
型号： IS43TR16640B-125JBLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 96-TFBGA	类似代替	动态随机存取存储器 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS, IT	IS43TR16640A-125JBLI和IS43TR16640B-125JBLI的区别
型号： IS43TR16640A-125JBL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： FBGA	类似代替	1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS	IS43TR16640A-125JBLI和IS43TR16640A-125JBL的区别