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IS43TR16640A-125JBL、IS43TR16640A-125JBLI、IS43TR16640B-125JBL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43TR16640A-125JBL IS43TR16640A-125JBLI IS43TR16640B-125JBL

描述 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 96 96 96

封装 BGA-96 BGA-96 TFBGA-96

供电电流 210 mA 210 mA -

位数 16 - 16

存取时间 20 ns 20 ns 20 ns

存取时间(Max) 20 ns 20 ns 0.225 ns

工作温度(Max) 95 ℃ 95 ℃ 95 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.425V ~ 1.575V 1.425V ~ 1.575V 1.425V ~ 1.575V

电源电压(Max) 1.575 V - -

电源电压(Min) 1.425 V - -

时钟频率 - - 800 MHz

高度 0.8 mm 0.8 mm -

封装 BGA-96 BGA-96 TFBGA-96

工作温度 0℃ ~ 95℃ -40℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 95℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

ECCN代码 - - EAR99