IS61WV5128BLL-10BLI

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

4Mb, High-Speed/Low Power, Async, 512K x 8, 8ns/3.3V, or 10ns/2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA 8x10 mm, RoHS

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb 512K x 8 Parallel 10ns 36-TFBGA 6x8

得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

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IS61WV5128BLL 10BLI

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SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns 36-Pin Mini-BGA

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SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin Mini-BGA

Win Source:
IC SRAM 4MBIT 10NS 36MINIBGA

IS61WV5128BLL-10BLI中文资料参数规格

技术参数

位数 8

存取时间 10 ns

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.4V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 36

封装 BGA-36

外形尺寸

封装 BGA-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS61WV5128BLL-10BLI引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
IS61WV5128BLL-10BLI	Integrated Silicon SolutionISSI	4Mb, High-Speed/Low Power, Async, 512K x 8, 8ns/3.3V, or 10ns/2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA 8x10 mm, RoHS	搜索库存

替代型号IS61WV5128BLL-10BLI

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IS61WV5128BLL-10BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA	当前型号	4Mb, High-Speed/Low Power, Async, 512K x 8, 8ns/3.3V, or 10ns/2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA 8x10 mm, RoHS	当前型号
型号： IS61WV5128BLL-10BLI-TR 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA-36	完全替代	4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K X 8,8ns/3.3V,or 10ns,2.4V-3.6V,36 Ball MBGA 8x10 Mm, Leadfree	IS61WV5128BLL-10BLI和IS61WV5128BLL-10BLI-TR的区别
型号： IS61WV5128BLL-10BI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA	完全替代	静态随机存取存储器 4M 512Kx8 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v	IS61WV5128BLL-10BLI和IS61WV5128BLL-10BI的区别
型号： IS61LV5128AL-10BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 4000000B 3.3V 10ns	类似代替	IC SRAM 4Mbit 10NS 36MINIBGA	IS61WV5128BLL-10BLI和IS61LV5128AL-10BLI的区别