锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IS61WV5128BLL-10BI、IS61WV5128BLL-10BLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61WV5128BLL-10BI IS61WV5128BLL-10BLI

描述 静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v4Mb, High-Speed/Low Power, Async, 512K x 8, 8ns/3.3V, or 10ns/2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (8x10 mm), RoHS

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 36 36

封装 BGA-36 BGA-36

位数 8 8

存取时间 10 ns 10 ns

存取时间(Max) 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.4V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V

电源电压(Min) - 2.4 V

封装 BGA-36 BGA-36

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅

ECCN代码 - EAR99