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IS61LV5128AL-10BLI、IS61WV5128BLL-10BLI、IS61LV5128AL-10BI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61LV5128AL-10BLI IS61WV5128BLL-10BLI IS61LV5128AL-10BI

描述 IC SRAM 4Mbit 10NS 36MINIBGA4Mb, High-Speed/Low Power, Async, 512K x 8, 8ns/3.3V, or 10ns/2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (8x10 mm), RoHSSRAM 4Mb 512Kx8 10ns 3.3V

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 36 36 -

封装 BGA-36 BGA-36 TFBGA-36

位数 8 8 -

存取时间 10.0 ns 10 ns 10 ns

存取时间(Max) 10 ns 10 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V 3.63 V

电源电压(Min) - 2.4 V 3.135 V

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - 3.30 V, 3.60 V (max)

内存容量 4000000 B - 4000000 B

封装 BGA-36 BGA-36 TFBGA-36

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Not Recommended Active Not Recommended

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99 -