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IS61C256AL-12JLI-TR

IS61C256AL-12JLI-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)

静态 RAM,ISSI

**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。

电源:1.8V/3.3V/5V

提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP

提供的配置选择:x8 和 x16

ECC 功能可用于高速异步 SRAM


得捷:
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ


立创商城:
IS61C256AL 12JLI TR


欧时:
### 静态 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)


贸泽:
静态随机存取存储器 256K,High-Speed,Async,32K x 8,12ns,5v,28 Pin SOJ 300 mil, RoHS


艾睿:
SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 12ns 28-Pin SOJ T/R


安富利:
SRAM Chip Async Single 5V 256K-Bit 32K x 8 12ns 28-Pin SOJ T/R


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 12ns 28-Pin SOJ T/R


Verical:
SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 12ns 28-Pin SOJ T/R


Win Source:
IC SRAM 256KBIT 12NS 28SOJ


IS61C256AL-12JLI-TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

供电电流 40 mA

位数 8

存取时间 12 ns

内存容量 256000 B

存取时间Max 12 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 28

封装 SOJ-28

外形尺寸

长度 18.54 mm

宽度 7.75 mm

高度 2.67 mm

封装 SOJ-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS61C256AL-12JLI-TR引脚图与封装图
IS61C256AL-12JLI-TR引脚图

IS61C256AL-12JLI-TR引脚图

IS61C256AL-12JLI-TR封装焊盘图

IS61C256AL-12JLI-TR封装焊盘图

在线购买IS61C256AL-12JLI-TR
型号 制造商 描述 购买
IS61C256AL-12JLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI RAM,ISSI **ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器) 搜索库存
替代型号IS61C256AL-12JLI-TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS61C256AL-12JLI-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: SOJ-28 256000B 5V 12ns

当前型号

RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)

当前型号

型号: IS61C256AL-12JLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: SOJ 32000B 5V 12ns 28Pin

类似代替

INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI  IS61C256AL-12JLI  芯片, 存储器, SRAM, 256KB, 12NS, SOJ-28

IS61C256AL-12JLI-TR和IS61C256AL-12JLI的区别

型号: CY7C199CN-12ZXC

品牌: 赛普拉斯

封装: TSOP-I 256000B 5V 12ns

功能相似

256K ( 32K ×8 )静态RAM 256K 32K x 8 Static RAM

IS61C256AL-12JLI-TR和CY7C199CN-12ZXC的区别

型号: CY7C199C-12ZXC

品牌: 赛普拉斯

封装: TSOP-I 256000B 5V 12ns

功能相似

CY7C199C 系列 256 b 32 K x 8 5 V 12 ns 静态 RAM - TSOP-28

IS61C256AL-12JLI-TR和CY7C199C-12ZXC的区别