IS61C256AL-12JLI、IS61C256AL-12JLI-TR、CY7C199-12VI对比区别
型号 IS61C256AL-12JLI IS61C256AL-12JLI-TR CY7C199-12VI
描述 INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS61C256AL-12JLI 芯片, 存储器, SRAM, 256KB, 12NS, SOJ-28RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）32K x 8静态RAM 32K x 8 Static RAM
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 28 28 28
封装 BSOJ-28 SOJ-28 SOJ
电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) -
工作电压 5 V - -
针脚数 28 - -
位数 8 8 -
存取时间 12 ns 12 ns -
内存容量 32000 B 256000 B -
存取时间(Max) 12 ns 12 ns -
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V -
供电电流 - 40 mA -
长度 18.54 mm 18.54 mm -
宽度 7.75 mm 7.75 mm -
高度 2.67 mm 2.67 mm -
封装 BSOJ-28 SOJ-28 SOJ
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tube, Rail
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -