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CY7C199C-12ZXC、IS61C256AL-12JLI-TR、CY7C199D-10ZXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C199C-12ZXC IS61C256AL-12JLI-TR CY7C199D-10ZXI

描述 CY7C199C 系列 256 b (32 K x 8) 5 V 12 ns 静态 RAM - TSOP-28RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)CY7C199D 系列 256-Kb (32 K x 8) 5 V 10 ns 静态 RAM - TSOP-28

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 28 28 28

封装 TSOP-28 SOJ-28 TSOP-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V

供电电流 - 40 mA -

位数 - 8 8

存取时间 12.0 ns 12 ns 10 ns

内存容量 256000 B 256000 B 32000 B

存取时间(Max) - 12 ns 10 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

时钟频率 12.0 GHz - -

针脚数 - - 28

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

长度 - 18.54 mm -

宽度 - 7.75 mm -

高度 1.02 mm 2.67 mm 1.02 mm

封装 TSOP-28 SOJ-28 TSOP-28

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR