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IRFR120ATM、IRFR120TRPBF、IRFR120ATF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR120ATM IRFR120TRPBF IRFR120ATF

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 8.4A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans MOSFET N-CH 100V 8.4A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

引脚数 3 - -

耗散功率 32 W 2.5W (Ta), 42W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

输入电容(Ciss) 480pF @25V(Vds) 360pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 32W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) -

极性 N-Channel - N-CH

连续漏极电流(Ids) 8.40 A - 8.4A

漏源极电阻 0.2 Ω - -

阈值电压 4 V - -

漏源击穿电压 ±60.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99