IRFP450B
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
IRFP450B中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 310 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 205 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 130 ns
输入电容Ciss 3800pF @25VVds
下降时间 125 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 205W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
IRFP450B引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRFP450B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFP450B 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3PN-3 N-Channel 500V 14A 400mohms | 当前型号 | 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | IRFP450B和STP55NF06的区别 |
| 型号： STW20NK50Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 500V 17A 270mΩ | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | IRFP450B和STW20NK50Z的区别 |
| 型号： STP80NF10 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | IRFP450B和STP80NF10的区别 |