IRFP450B、STP80NF10、STD15NF10T4对比区别

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型号 IRFP450B STP80NF10 STD15NF10T4

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 80.0 A 23.0 A

额定功率 - 300 W -

通道数 1 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 310 mΩ 0.012 Ω 0.065 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 205 W 300 W 70 W

阈值电压 - 3 V 3 V

输入电容 - 5500 pF -

漏源极电压(Vds) 500 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 500 V 100 V 100 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 80.0 A 23.0 A

上升时间 130 ns 80 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 3800pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W 70 W

下降时间 125 ns 60 ns 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 205W (Tc) 300W (Tc) 70W (Tc)

长度 16.2 mm 10.4 mm 6.6 mm

宽度 5 mm 4.6 mm 6.2 mm

高度 20.1 mm 9.15 mm 2.4 mm

封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -