IRFP450B、STW20NK50Z、STD15NF10T4对比区别

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型号 IRFP450B STW20NK50Z STD15NF10T4

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

通道数 1 1 1

漏源极电阻 310 mΩ 0.23 Ω 0.065 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 205 W 190 W 70 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 100 V

漏源击穿电压 500 V 500 V 100 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 17.0 A 23.0 A

上升时间 130 ns 20 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 3800pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)

下降时间 125 ns 15 ns 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 205W (Tc) 190W (Tc) 70W (Tc)

额定电压(DC) - 500 V 100 V

额定电流 - 17.0 A 23.0 A

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 3.75 V 3 V

额定功率(Max) - 190 W 70 W

额定功率 - 190 W -

输入电容 - 2600 pF -

长度 16.2 mm 15.75 mm 6.6 mm

宽度 5 mm 5.15 mm 6.2 mm

高度 20.1 mm 20.15 mm 2.4 mm

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -