IRF820中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 4.00 A
通道数 1
漏源极电阻 3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 80 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 315pF @25VVds
额定功率Max 80 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 80W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
IRF820引脚图与封装图
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在线购买IRF820
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF820 | ST Microelectronics 意法半导体 | N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET | 搜索库存 |
替代型号IRF820
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF820 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 500V 4A 3ohms | 当前型号 | N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET | 当前型号 |
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