IRF820、MTP3N50E、BUZ74对比区别
描述 N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFETTrans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220ABSIPMOS大功率晶体管（N沟道增强型雪崩额定） SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220
引脚数 - 3 -
极性 N-Channel - N-CH
漏源极电压(Vds) 500 V - 500 V
连续漏极电流(Ids) 4.00 A - 2.4A
上升时间 13 ns 14 ns -
输入电容(Ciss) 315pF @25V(Vds) 435pF @25V(Vds) -
下降时间 13 ns 20 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 80W (Tc) 50000 mW -
额定电压(DC) 500 V - -
额定电流 4.00 A - -
通道数 1 - -
漏源极电阻 3 Ω - -
耗散功率 80 W - -
漏源击穿电压 500 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
额定功率(Max) 80 W - -
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220
长度 10.4 mm - -
宽度 4.6 mm - -
高度 9.15 mm - -
产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete
包装方式 Tube - -
材质 - Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) - -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -
含铅标准 - -