IXTH182N055T
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH182N055T中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 360W Tc
漏源极电压Vds 55 V
输入电容Ciss 4850pF @25VVds
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTH182N055T引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTH182N055T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTH182N055T | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 55V 182A 3Pin3+Tab TO-247 | 搜索库存 |
替代型号IXTH182N055T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTH182N055T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 55V 182A 3Pin3+Tab TO-247 | 当前型号 |
| 型号： IXTP182N055T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220 N-Channel 55V 182A 5mohms | 类似代替 | TO-220AB N-CH 55V 182A | IXTH182N055T和IXTP182N055T的区别 |
| 型号： IXTA182N055T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： D2PAK N-CH 55V 182A | 类似代替 | D2PAK N-CH 55V 182A | IXTH182N055T和IXTA182N055T的区别 |
| 型号： IXTQ182N055T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 N-CH 55V 182A | 功能相似 | TO-3P N-CH 55V 182A | IXTH182N055T和IXTQ182N055T的区别 |