IXTH182N055T、IXTQ182N055T、IXTP182N055T对比区别

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型号 IXTH182N055T IXTQ182N055T IXTP182N055T

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 182A 3Pin(3+Tab) TO-247TO-3P N-CH 55V 182ATO-220AB N-CH 55V 182A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-220-3

引脚数 - - 3

耗散功率 360W (Tc) 360 W 360W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

输入电容(Ciss) 4850pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)

漏源极电阻 - 5 mΩ 5.00 mΩ

极性 - N-CH N-Channel

漏源击穿电压 - 55 V 55.0 V

连续漏极电流(Ids) - 182A 182 A

通道数 - 1 -

上升时间 - 35 ns -

下降时间 - 38 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-220-3

长度 - 15.8 mm -

宽度 - 4.9 mm -

高度 - 20.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free