IXGM20N60A
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IXYS Semiconductor
电子元器件分类
IXGM20N60A中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 150000 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXGM20N60A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXGM20N60A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGM20N60A | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 150000mW 3Pin2+Tab TO-204AE | 搜索库存 |
替代型号IXGM20N60A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGM20N60A 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 150000mW 3Pin2+Tab TO-204AE | 当前型号 |
| 型号： IXGM17N100A 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 类似代替 | 4V diode | IXGM20N60A和IXGM17N100A的区别 |
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