IXGM20N60、IXGM20N60A、IXGM25N100A对比区别

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型号 IXGM20N60 IXGM20N60A IXGM25N100A

描述 Low VCE(sat) IGBT High speed IGBTTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 150000mW 3Pin(2+Tab) TO-204AETrans IGBT Chip N-CH 1000V 50A 200000mW 3Pin(2+Tab) TO-204AE

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类

安装方式 - Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-3 TO-204

耗散功率 - 150000 mW 200000 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 150000 mW 200000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - - 1000 V

反向恢复时间 - - 200 ns

额定功率(Max) - - 200 W

封装 - TO-3 TO-204

产品生命周期 Active Active End of Life

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)