IXGM17N100A、IXGM20N60A、IXGM20N60对比区别

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型号 IXGM17N100A IXGM20N60A IXGM20N60

描述 4V diodeTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 150000mW 3Pin(2+Tab) TO-204AELow VCE(sat) IGBT High speed IGBT

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类

安装方式 Through Hole Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 TO-204 TO-3 -

耗散功率 - 150000 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 150000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 1000 V - -

反向恢复时间 200 ns - -

额定功率(Max) 150 W - -

封装 TO-204 TO-3 -

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 无铅 Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -