IXFN150N10
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFN150N10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 150 A
耗散功率 520 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 9000pF @25VVds
额定功率Max 520 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520W Tc
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFN150N10引脚图与封装图
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在线购买IXFN150N10
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFN150N10 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 150A 4Pin SOT-227B | 搜索库存 |
替代型号IXFN150N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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