IXFN150N10、IXFN180N10、IXFN280N085对比区别

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型号 IXFN150N10 IXFN180N10 IXFN280N085

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 150A 4Pin SOT-227BIXYS SEMICONDUCTOR  IXFN180N10  晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 180 A, 100 V, 8 mohm, 10 V, 4 VSOT-227B N-CH 85V 280A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Chassis Chassis -

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

通道数 - 1 1

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 - 0.008 Ω 4.4 mΩ

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 520 W 600 W 700 W

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 85 V

漏源击穿电压 - 100 V 85 V

连续漏极电流(Ids) - 180 A 280A

上升时间 60 ns 90 ns 95 ns

隔离电压 - 2.50 kV -

输入电容(Ciss) 9000pF @25V(Vds) 9100pF @25V(Vds) 19000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 520 W 600 W 700 W

下降时间 60 ns 65 ns 33 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 520W (Tc) 600W (Tc) 700W (Tc)

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 150 A - -

长度 38.23 mm 38.23 mm 38.23 mm

宽度 25.42 mm 25.42 mm 25.42 mm

高度 9.6 mm 9.6 mm 9.6 mm

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

材质 Silicon Silicon Silicon

重量 - 42.0 g -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -