IXFN150N10、IXFN230N10、IXFN280N085对比区别

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型号 IXFN150N10 IXFN230N10 IXFN280N085

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 150A 4Pin SOT-227BIXYS SEMICONDUCTOR  IXFN230N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 A, 100 V, 6 mohm, 10 V, 4 VSOT-227B N-CH 85V 280A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Chassis Chassis -

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 150 A - -

耗散功率 520 W 700 W 700 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 85 V

上升时间 60 ns 150 ns 95 ns

输入电容(Ciss) 9000pF @25V(Vds) 19000pF @25V(Vds) 19000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 520 W 700 W 700 W

下降时间 60 ns 60 ns 33 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 520W (Tc) 700W (Tc) 700W (Tc)

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - 0.006 Ω 4.4 mΩ

极性 - N-Channel N-CH

漏源击穿电压 - - 85 V

连续漏极电流(Ids) - 230 A 280A

针脚数 - 4 -

阈值电压 - 4 V -

长度 38.23 mm - 38.23 mm

宽度 25.42 mm 25.42 mm 25.42 mm

高度 9.6 mm - 9.6 mm

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -