IXFH26N55Q
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH26N55Q中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 375 W
漏源极电压Vds 550 V
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 3000pF @25VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFH26N55Q引脚图与封装图
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在线购买IXFH26N55Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH26N55Q | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 550V 26A 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |
替代型号IXFH26N55Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFH26N55Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 550V 26A 3Pin3+Tab TO-247AD | 当前型号 |
| 型号： IXTV26N50PS 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 500V 26A 3.6nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin2+Tab PLUS220 SMD | IXFH26N55Q和IXTV26N50PS的区别 |
| 型号： IXTT26N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin2+Tab TO-268 | IXFH26N55Q和IXTT26N50P的区别 |
| 型号： IXFV26N50PS 品牌： IXYS Semiconductor 封装： PLUS220 N-Channel 500V 26A 230mΩ 3.6nF | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin2+Tab PLUS220 SMD | IXFH26N55Q和IXFV26N50PS的区别 |