IXFH26N55Q、IXTT26N50P、IXFV26N50P对比区别

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型号 IXFH26N55Q IXTT26N50P IXFV26N50P

描述 Trans MOSFET N-CH 550V 26A 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin(2+Tab) TO-268Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-220-3

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - 230 mΩ 230 mΩ

耗散功率 375 W 400 W 400 W

阈值电压 - 5.5 V -

漏源极电压(Vds) 550 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - 500 V 500 V

上升时间 18 ns 25 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 400 W -

下降时间 13 ns 20 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 375W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)

额定电压(DC) - - 500 V

额定电流 - - 26.0 A

极性 - - N-Channel

输入电容 - - 3.60 nF

栅电荷 - - 60.0 nC

连续漏极电流(Ids) - - 26.0 A

长度 16.26 mm 14 mm 11 mm

宽度 5.3 mm 16.05 mm 4.7 mm

高度 21.46 mm 5.1 mm 15 mm

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free