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IXFH26N55Q、IXTV26N50PS、IXFV26N50P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH26N55Q IXTV26N50PS IXFV26N50P

描述 Trans MOSFET N-CH 550V 26A 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMDTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 500 V 500 V

额定电流 - 26.0 A 26.0 A

耗散功率 375 W 400 W 400 W

输入电容 - 3.60 nF 3.60 nF

栅电荷 - 65.0 nC 60.0 nC

漏源极电压(Vds) 550 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) - 26.0 A 26.0 A

上升时间 18 ns 25 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)

下降时间 13 ns 20 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 375W (Tc) 460W (Tc) 400W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 230 mΩ

极性 - - N-Channel

漏源击穿电压 - - 500 V

长度 16.26 mm 11 mm 11 mm

宽度 5.3 mm 15 mm 4.7 mm

高度 21.46 mm 4.7 mm 15 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free