IXFV26N50P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFV26N50P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 26.0 A
通道数 1
漏源极电阻 230 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 400 W
输入电容 3.60 nF
栅电荷 60.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 26.0 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 3600pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 400W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 11 mm
宽度 4.7 mm
高度 15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFV26N50P引脚图与封装图
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在线购买IXFV26N50P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFV26N50P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin3+Tab PLUS 220 | 搜索库存 |
替代型号IXFV26N50P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFV26N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-Channel 500V 26A 230mohms 3.6nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin3+Tab PLUS 220 | 当前型号 |
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