IXFV26N50P、IXTT26N50P、IXTV26N50P对比区别

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型号 IXFV26N50P IXTT26N50P IXTV26N50P

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin(2+Tab) TO-268Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-220-3 TO-268-3 TO-220-3

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 500 V - 500 V

额定电流 26.0 A - 26.0 A

通道数 1 1 -

漏源极电阻 230 mΩ 230 mΩ -

极性 N-Channel - -

耗散功率 400 W 400 W 460W (Tc)

输入电容 3.60 nF - 3.60 nF

栅电荷 60.0 nC - 65.0 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 26.0 A - 26.0 A

上升时间 25 ns 25 ns -

输入电容(Ciss) 3600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)

下降时间 20 ns 20 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 460W (Tc)

阈值电压 - 5.5 V -

额定功率(Max) - 400 W -

长度 11 mm 14 mm -

宽度 4.7 mm 16.05 mm -

高度 15 mm 5.1 mm -

封装 TO-220-3 TO-268-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free