IXFH26N55Q、IXFV26N50P、IXTV26N50P对比区别

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型号 IXFH26N55Q IXFV26N50P IXTV26N50P

描述 Trans MOSFET N-CH 550V 26A 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 375 W 400 W 460W (Tc)

漏源极电压(Vds) 550 V 500 V 500 V

上升时间 18 ns 25 ns -

输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)

下降时间 13 ns 20 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 375W (Tc) 400W (Tc) 460W (Tc)

额定电压(DC) - 500 V 500 V

额定电流 - 26.0 A 26.0 A

输入电容 - 3.60 nF 3.60 nF

栅电荷 - 60.0 nC 65.0 nC

连续漏极电流(Ids) - 26.0 A 26.0 A

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 230 mΩ -

极性 - N-Channel -

漏源击穿电压 - 500 V -

长度 16.26 mm 11 mm -

宽度 5.3 mm 4.7 mm -

高度 21.46 mm 15 mm -

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free