IXTY12N06T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTY12N06T中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 33W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 12A
输入电容Ciss 256pF @25VVds
耗散功率Max 33W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTY12N06T引脚图与封装图
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在线购买IXTY12N06T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTY12N06T | IXYS Semiconductor | DPAK N-CH 60V 12A | 搜索库存 |
替代型号IXTY12N06T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTY12N06T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 N-CH 60V 12A | 当前型号 | DPAK N-CH 60V 12A | 当前型号 |
| 型号： IXTY12N06TTRL 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 完全替代 | Mosfet n-Ch 60V 12A To-252 | IXTY12N06T和IXTY12N06TTRL的区别 |
| 型号： IXTU12N06T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-251 N-CH 60V 12A | 类似代替 | TO-251 N-CH 60V 12A | IXTY12N06T和IXTU12N06T的区别 |