
漏源极电阻 6.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 140 W
产品系列 IRLR3114Z
输入电容 3810pF @25V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 130 A
输入电容Ciss 3810pF @25VVds
额定功率Max 140 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRLR3114ZPBF | International Rectifier 国际整流器 | N沟道 40V 42A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRLR3114ZPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-252-3 N-Channel 40V 130A | 当前型号 | N沟道 40V 42A | 当前型号 | |
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型号: STD95N4F3 品牌: 意法半导体 封装: TO-252-3 | 功能相似 | N沟道40 V, 5.0毫欧, 80 A, DPAK , TO- 220的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220 STripFET™ III Power MOSFET | IRLR3114ZPBF和STD95N4F3的区别 | |
型号: STD120N4LF6 品牌: 意法半导体 封装: DPAK N-Channel | 功能相似 | N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRLR3114ZPBF和STD120N4LF6的区别 |