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IRLR3114ZPBF

IRLR3114ZPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

N沟道 40V 42A

N-Channel 40V 42A Tc 140W Tc Surface Mount D-Pak


得捷:
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK


立创商城:
N沟道 40V 42A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 130A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Allied Electronics:
MOSFET, N Ch., Automotive, 40V, 130A, 4.9 MOHM, 40 NC QG, D-PAK, Pb-Free


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 130A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK


IRLR3114ZPBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 6.5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 140 W

产品系列 IRLR3114Z

输入电容 3810pF @25V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 130 A

输入电容Ciss 3810pF @25VVds

额定功率Max 140 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRLR3114ZPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRLR3114ZPBF International Rectifier 国际整流器 N沟道 40V 42A 搜索库存
替代型号IRLR3114ZPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRLR3114ZPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-252-3 N-Channel 40V 130A

当前型号

N沟道 40V 42A

当前型号

型号: STD86N3LH5

品牌: 意法半导体

封装: DPAK

功能相似

N沟道30 V , 0.0045欧姆, 80 A, DPAK的STripFET V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFET

IRLR3114ZPBF和STD86N3LH5的区别

型号: STD95N4F3

品牌: 意法半导体

封装: TO-252-3

功能相似

N沟道40 V, 5.0毫欧, 80 A, DPAK , TO- 220的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220 STripFET™ III Power MOSFET

IRLR3114ZPBF和STD95N4F3的区别

型号: STD120N4LF6

品牌: 意法半导体

封装: DPAK N-Channel

功能相似

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

IRLR3114ZPBF和STD120N4LF6的区别