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IRLR3114ZPBF、STD95N4F3、IRLR3114ZTRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR3114ZPBF STD95N4F3 IRLR3114ZTRPBF

描述 N沟道 40V 42AN沟道40 V, 5.0毫欧, 80 A, DPAK , TO- 220的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220 STripFET™ III Power MOSFETMOS(场效应管)/IRLR3114ZTRPBF

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 - 1 1

漏源极电阻 6.5 mΩ 0.005 Ω 6.5 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 140 W 110 W 140 W

产品系列 IRLR3114Z - IRLR3114Z

阈值电压 - 4 V 2.5 V

输入电容 3810pF @25V 2200 pF 3810pF @25V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 130 A - 130 A, 130 mA

输入电容(Ciss) 3810pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 3810pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 110 W 140 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

针脚数 - 3 -

上升时间 - 50 ns -

下降时间 - 15 ns -

耗散功率(Max) - 110W (Tc) -

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 - 6.2 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -