IRLR3114ZPBF、STD120N4LF6、IRLR3114ZTRPBF对比区别

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型号 IRLR3114ZPBF STD120N4LF6 IRLR3114ZTRPBF

描述 N沟道 40V 42AN 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsMOS(场效应管)/IRLR3114ZTRPBF

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 - 1 1

漏源极电阻 6.5 mΩ 0.004 Ω 6.5 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 140 W 110 W 140 W

产品系列 IRLR3114Z - IRLR3114Z

阈值电压 - 1V ~ 3V 2.5 V

输入电容 3810pF @25V - 3810pF @25V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 130 A - 130 A, 130 mA

输入电容(Ciss) 3810pF @25V(Vds) 4300pF @25V(Vds) 3810pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 110 W 140 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

漏源击穿电压 - 40 V -

上升时间 - 95 ns -

下降时间 - 45 ns -

耗散功率(Max) - 110W (Tc) -

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm

宽度 - 6.2 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.4 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -