漏源极电阻 0.07 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.8 W
产品系列 IRFZ24NS
阈值电压 4 V
输入电容 370pF @25V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
输入电容Ciss 370pF @25VVds
额定功率Max 3.8 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
高度 4.703 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFZ24NSTRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFZ24NSTRLPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-252-3 N-Channel 55V 17A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 | |
型号: STB16NF06LT4 品牌: 意法半导体 封装: TO-263 N-Channel 60V 16A 10mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB16NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V | IRFZ24NSTRLPBF和STB16NF06LT4的区别 | |
型号: STB140NF55T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252-3 N-Channel 55V 80A 8mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB140NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V | IRFZ24NSTRLPBF和STB140NF55T4的区别 | |
型号: STB36NF06LT4 品牌: 意法半导体 封装: TO-263 N-Channel 60V 30A 660pF | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB36NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 1 V | IRFZ24NSTRLPBF和STB36NF06LT4的区别 |