IRFZ24NSTRLPBF、STB36NF06LT4、STB140NF55T4对比区别

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型号 IRFZ24NSTRLPBF STB36NF06LT4 STB140NF55T4

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RSTMICROELECTRONICS  STB36NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 1 VSTMICROELECTRONICS  STB140NF55T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - 60.0 V 55.0 V

额定电流 - 30.0 A 80.0 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 0.07 Ω 0.032 Ω 0.0065 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8 W 70 W 300 W

阈值电压 4 V 1 V 3 V

输入电容 370pF @25V 660 pF -

栅电荷 - 17.5 nC -

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 - 60 V 55.0 V

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 30.0 A 80.0 A

上升时间 - 80 ns 150 ns

输入电容(Ciss) 370pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W 70 W 300 W

下降时间 - 13 ns 45 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 70W (Tc) 300W (Tc)

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

产品系列 IRFZ24NS - -

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 9.35 mm 9.35 mm

高度 4.703 mm 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17