IRFZ24NSTRLPBF、STB140NF55T4、STB36NF06LT4对比区别

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型号 IRFZ24NSTRLPBF STB140NF55T4 STB36NF06LT4

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RSTMICROELECTRONICS  STB140NF55T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STB36NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

漏源极电阻 0.07 Ω 0.0065 Ω 0.032 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8 W 300 W 70 W

产品系列 IRFZ24NS - -

阈值电压 4 V 3 V 1 V

输入电容 370pF @25V - 660 pF

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 80.0 A 30.0 A

输入电容(Ciss) 370pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W 300 W 70 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - 55.0 V 60.0 V

额定电流 - 80.0 A 30.0 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

栅电荷 - - 17.5 nC

漏源击穿电压 - 55.0 V 60 V

上升时间 - 150 ns 80 ns

下降时间 - 45 ns 13 ns

耗散功率(Max) - 300W (Tc) 70W (Tc)

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm

高度 4.703 mm 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

宽度 - 9.35 mm 9.35 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17