
额定电压DC 30.0 V
额定电流 8.50 A
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF7403
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 8.50 A
上升时间 37.0 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IRF7403TRPBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8Pin SOIC T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IRF7403TRPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: SOIC N-Channel 30V 8.5A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8Pin SOIC T/R | 当前型号 | |
型号: FDS8884 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 30V 8.5A 635pF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8884 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 30 V, 19 mohm, 10 V, 1.7 V 新 | IRF7403TRPBF和FDS8884的区别 | |
型号: STS11NF30L 品牌: 意法半导体 封装: SOIC N-Channel 30V 11A 8.5mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRF7403TRPBF和STS11NF30L的区别 | |
型号: FDS6612A 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 30V 8.4A 22mohms 560pF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6612A 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V | IRF7403TRPBF和FDS6612A的区别 |