FDS6612A、IRF7403TRPBF对比区别

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型号 FDS6612A IRF7403TRPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6612A  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 VTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8Pin SOIC T/R

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V

额定电流 8.40 A 8.50 A

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W

产品系列 - IRF7403

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 8.40 A 8.50 A

上升时间 5 ns 37.0 ns

输入电容(Ciss) 560pF @15V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2.5 W

针脚数 8 -

漏源极电阻 0.019 Ω -

阈值电压 1.9 V -

输入电容 560 pF -

栅电荷 5.40 nC -

漏源击穿电压 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

下降时间 3 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) -

额定功率 - -

封装 SOIC-8 SOIC-8

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 - -

ECCN代码 EAR99 -