IRF7403TRPBF、STS11NF30L、FDS8884对比区别

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型号 IRF7403TRPBF STS11NF30L FDS8884

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8Pin SOIC T/RN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8884  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 30 V, 19 mohm, 10 V, 1.7 V 新

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 8.50 A 11.0 A 8.50 A

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

产品系列 IRF7403 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 8.50 A 11.0 A 8.50 A

上升时间 37.0 ns 39 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1440pF @25V(Vds) 635pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - 0.0085 Ω 0.019 Ω

阈值电压 - 1 V 1.7 V

输入电容 - - 635 pF

栅电荷 - - 13.0 nC

漏源击穿电压 - 30.0 V 30 V

下降时间 - 16 ns 21 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2500 mW 2.5W (Ta)

额定功率 - 2.5 W -

栅源击穿电压 - ±18.0 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.25 mm 1.5 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99