IPD350N06LGBTMA1、IPD800N06NGBTMA1、IPD250N06N3G对比区别
型号 IPD350N06LGBTMA1 IPD800N06NGBTMA1 IPD250N06N3G
描述 INFINEON IPD350N06LGBTMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 60 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.6 V 新DPAK N-CH 60V 16A的OptiMOS （ TM ） 3功率三极管 OptiMOS(TM)3 Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252
额定功率 71 W - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.027 Ω - -
极性 N-Channel N-CH -
耗散功率 68 W 47000 mW -
阈值电压 1.6 V - -
输入电容 600 pF - -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -
连续漏极电流(Ids) 29A 16A -
上升时间 21 ns 38 ns -
输入电容(Ciss) 600pF @30V(Vds) 370pF @30V(Vds) -
下降时间 20 ns 27 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 68W (Tc) 47W (Tc) -
额定功率(Max) - 47 W -
长度 6.73 mm - -
宽度 6.22 mm - -
高度 2.41 mm - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -