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IPD60R950C6

IPD60R950C6

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


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IPD60R950C6


得捷:
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3


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MOSFET N-Ch 650V 4.4A DPAK-2 CoolMOS C6


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Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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600V,4.4A,N沟道功率MOSFET


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IPD60R950C6中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 860 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 37 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 4.4A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 280pF @100VVds

额定功率Max 37 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 37W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IPD60R950C6引脚图与封装图
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在线购买IPD60R950C6
型号 制造商 描述 购买
IPD60R950C6 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存
替代型号IPD60R950C6
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD60R950C6

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252 N-Channel 600V 4.4A

当前型号

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

当前型号

型号: IPD60R950C6ATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 600V 4.4A

类似代替

INFINEON  IPD60R950C6ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V

IPD60R950C6和IPD60R950C6ATMA1的区别

型号: IPA60R950C6

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 N-Channel 600V 4.4A

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Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

IPD60R950C6和IPA60R950C6的区别

型号: IPP60R950C6

品牌: 英飞凌

封装: TO-220-3 N-Channel 600V 4.4A

功能相似

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